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NXP Semiconductors
Low capacitance double ESD protection
diode
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T j = 25 ° C unless otherwise specified.
Product data sheet
PESDxL2UM series
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Per diode
V F
forward voltage
I F = 200 mA
?
1
1.2
V
V RWM
reverse stand-off voltage
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
?
?
?
?
3.3
5
V
V
I RM
reverse leakage current
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
V R = 3.3 V
V R = 5 V
?
?
75
5
300
25
nA
nA
V (CL)R
clamping voltage
8/20 μ s pulse
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
I pp = 1 A; notes 1 and 2
I pp = 3 A; notes 1 and 2
I pp = 1 A; notes 1 and 3
I pp = 3 A; notes 1 and 3
I pp = 1 A; notes 1 and 2
I pp = 2.5 A; notes 1 and 2
I pp = 1 A; notes 1 and 3
I pp = 2.5 A; notes 1 and 3
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
8
12
9
13
10
13
11
15
V
V
V
V
V
V
V
V
V BR
breakdown voltage
I Z = 1 mA
S Z
r diff
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
temperature coefficient
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
differential resistance
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
I Z = 1 mA
I R = 1 mA
5.32
6.46
?
?
?
?
5.6
6.8
1.3
2.9
?
?
5.88
7.14
?
?
200
100
V
V
mV/K
mV/K
?
?
C d
diode capacitance
PESD3V3L2UM
PESD5V0L2UM
f = 1 MHz; V R = 0
f = 1 MHz; V R = 5
f = 1 MHz; V R = 0
f = 1 MHz; V R = 5
?
?
?
?
22
12
16
8
28
17
19
11
pF
pF
pF
pF
Notes
1. Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform; see Fig.5.
2. Pins 1 and 3 or 2 and 3.
3. Pins 1 and 2.
2005 May 23
4
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